SEEG 100E腦電性能測(cè)試儀

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產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019 標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

2.依據(jù)較新的EEG法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC 80601-2-26:2019所設(shè)計(jì)

3.精密電路設(shè)計(jì)，可輸出1μV微小訊號(hào)

4.9通道自動(dòng)切換開關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試

5.內(nèi)建620kΩ/4.7nF輸出阻抗測(cè)試的EEG標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路

6.良好的屏蔽與接地設(shè)計(jì)讓訊號(hào)輸出更加

7.可做為EEG訊號(hào)撥放器，可撥放PhysioNet EDF、text、binary格式的波型訊號(hào)

8.IEC 80601-2-26小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間

產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)	規(guī)格
主輸出電壓度	0.2 mVpp或更高的振幅，精細(xì)度需在±1％內(nèi)
主輸出電壓分辨率（DAC分辨率）	0.5μV
頻率/脈沖度	±1%
脈沖間期/時(shí)間度	±1ms
電阻度	±1%
電容度	±5%
精密500:1分壓器	±0.2%
取樣率	5kHz ± 0.1%
直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無噪聲偏移）	150mV± 1%
直流偏移（細(xì)調(diào)，可包含50μVpp噪聲）	設(shè)定 ±1% 或 ±3mV
電源供應(yīng)	USB +5V直流電源（不需要再外加其他電源）0.5A（高功率模式）
環(huán)境	15?30℃（理論值） 30?80％RH（理論值）
安全性電磁兼容性 (EMC)	沒有適用的安全標(biāo)準(zhǔn)（上限內(nèi)部電壓 12Vdc）尚未進(jìn)行 EMC 測(cè)試。符合 CE 標(biāo)志，并有作 USB IC 的保護(hù)，及特殊的濾波器，以減少來自微處理器（8MHz）和 DC/ DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。